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射频晶体管
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SD3933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥1,081.6021
1081.6021
5
¥1,060.392
5301.96
10
¥1,010.9884
10109.884
25
¥989.6992
24742.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
29 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M177
封装
Bulk
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
28.96 mm
工作频率
200 MHz
系列
SD3933
类型
RF Power MOSFET
宽度
14.1 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,SD3933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
暂无价格
参考库存:17026
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
参考库存:25718
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:6023
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:17033
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:3540
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