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射频晶体管
PH2729-110M参考图片

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PH2729-110M

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管
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库存:1,092(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,633.1486
2633.1486
2
¥2,560.3088
5120.6176
5
¥2,501.6844
12508.422
10
¥2,428.6073
24286.073
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
63 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
8 A
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
Ceramic-2
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
输出功率
110 W
商标
MACOM
Pd-功率耗散
330 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,PH2729-110M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥3,306.1201
参考库存:15376
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
250:¥983.3938
参考库存:15379
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:38661
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
100:¥112.1864
300:¥104.8866
500:¥97.971
1,000:¥91.5978
参考库存:15384
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
1:¥1,074.8334
10:¥949.1322
25:¥842.2455
50:¥798.2094
参考库存:15387
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