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射频晶体管
PH2729-110M参考图片

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PH2729-110M

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管
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数量单价合计
1
¥2,633.1486
2633.1486
2
¥2,560.3088
5120.6176
5
¥2,501.6844
12508.422
10
¥2,428.6073
24286.073
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
63 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
8 A
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
Ceramic-2
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
输出功率
110 W
商标
MACOM
Pd-功率耗散
330 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，PH2729-110M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5086-Y,LF
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:10565
MRF275G
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
1:¥1,103.8857
10:¥1,041.408
参考库存:4769
PXAC260602FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥530.7384
参考库存:18270
MRFE8VP8600HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,205.7778
5:¥1,182.3416
10:¥1,143.3001
25:¥1,094.8909
50:¥1,079.9071
参考库存:18273
PTAC260302FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥500.5335
参考库存:18276
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