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射频晶体管
BF861C,215参考图片

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BF861C,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.2376
62.376
25
¥5.6387
140.9675
100
¥4.9381
493.81
3,000
¥2.6781
8034.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
25 mA
最大漏极/栅极电压
25 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
系列
BF861
类型
JFET
商标
NXP Semiconductors
闸/源截止电压
- 0.8 V to - 2 V
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934034400215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF861C,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1094UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥495.1547
100:¥489.4708
参考库存:15480
AGR09090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:15483
MRF422
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥509.6752
10:¥490.081
参考库存:2233
A2T07H310-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:15488
PD55025S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
250:¥143.4648
参考库存:2285
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