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射频晶体管
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ARF460AG

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥322.4229
322.4229
2
¥313.6654
627.3308
5
¥304.9757
1524.8785
10
¥296.2182
2962.182
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
65 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3.3 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，ARF460AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T26H300-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,132.5425
5:¥1,107.2644
10:¥1,084.6757
25:¥1,068.6184
150:¥1,006.6831
参考库存:15420
SD57045-01
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:1972
A3T21H360W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥894.1125
5:¥877.671
10:¥838.1662
25:¥810.1987
100:¥754.4106
150:¥691.334
参考库存:15425
MRFE6S9125NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
500:¥487.3238
参考库存:15428
CGHV40200PP
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥2,899.7834
参考库存:2010
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