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射频晶体管
BFP 181 E7764参考图片

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BFP 181 E7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.67574
675.74
3,000
¥0.51528
1545.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP181
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.02 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 5 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.02 A
Pd-功率耗散
175 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764XT SP000011013
单位重量
11.060 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 181 E7764的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.4803
参考库存:7225
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
500:¥156.0643
参考库存:17649
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:17652
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 10Watt Gain 14.5dB
1:¥457.198
5:¥419.5464
10:¥376.516
25:¥333.4856
参考库存:17655
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:17658
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