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射频晶体管
BFR 340F H6327参考图片

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BFR 340F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.3617
23.617
100
¥1.09158
109.158
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR340
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
20 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.9 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
20 mA
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR340FH6327XTSA1 BFR34FH6327XT SP000750426
单位重量
1.430 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 340F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GTVA107001EC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
参考库存:4677
PH3135-5S
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,530.5672
25:¥2,439.3649
参考库存:18130
MMRF1312GSR5
NXP / Freescale
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50:¥4,089.0406
参考库存:18133
D2017UK
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
50:¥279.3925
100:¥270.1717
250:¥265.5613
参考库存:18136
BFS483H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:13653
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