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射频晶体管

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MX0912B251Y

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1
¥3,673.9464
3673.9464
2
¥3,371.355
6742.71
5
¥3,025.575
15127.875
10
¥2,420.46
24204.6
25
¥2,334.015
58350.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Bulk
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MX0912B251Y的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
50:¥568.1527
100:¥563.4632
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250:¥719.5275
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射频晶体管
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1:¥453.4351
2:¥445.0618
5:¥439.9881
10:¥426.688
参考库存:17386
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150:¥1,610.4873
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥362.6057
2:¥352.7747
5:¥343.0115
10:¥333.2596
参考库存:3909
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