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晶体管
SIZ988DT-T1-GE3参考图片

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SIZ988DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.2828
628.28
500
¥5.4127
2706.35
3,000
¥3.9776
11932.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-6x5-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC, 51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20.2 W, 40 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
54 S, 52 S
下降时间
7 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 20 ns
商品其它信息
优势价格,SIZ988DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 150V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:4983
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥15.594
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:5070
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥34.0356
10:¥28.2048
100:¥23.2102
250:¥22.5096
500:¥20.2044
参考库存:4032
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:47147
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:14967
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