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晶体管
IPP060N06NAKSA1参考图片

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IPP060N06NAKSA1

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS Power Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP060N06N IPP6N6NXK SP000917402
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP060N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:17413
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4290
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:3941
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
参考库存:3383
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:3457
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