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晶体管
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FDP15N40

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数量单价合计
1
¥13.1419
13.1419
10
¥11.1418
111.418
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.7631
3881.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP15N40
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP15N40的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥29.6625
10:¥25.199
100:¥21.8203
250:¥20.7468
3,000:¥14.9047
6,000:查看
参考库存:9663
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 HV XSTR PNP 300V
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:7443
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥860.608
2:¥833.8722
5:¥833.6349
10:¥806.7409
参考库存:1480
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
2,500:¥1.01474
参考库存:2813
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥151.8381
5:¥145.9169
10:¥140.3912
25:¥129.0121
参考库存:1499
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