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晶体管
APT13005SU-G1参考图片

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APT13005SU-G1

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
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数量单价合计
1
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3.3787
10
¥2.7459
27.459
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2995
1299.5
4,000
¥1.10627
4425.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
6.4 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
APT1300
直流电流增益 hFE 最大值
35
封装
Bulk
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,APT13005SU-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Transistor 6 Pin
1:¥280.3869
10:¥273.7086
100:¥268.6349
250:¥258.5666
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥43.8779
10:¥39.1093
25:¥35.1882
100:¥32.1146
参考库存:4803
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:4735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:4499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥633.0825
5:¥613.8725
10:¥594.6625
25:¥567.8476
参考库存:4549
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