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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN3303R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	56
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	240 mg

商品其它信息

优势价格，FJN3303RTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BCR 135W H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR	1:¥1.6159 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.24634	参考库存:14124
TSM038N03PQ33 RGG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 30V, 80A, 3.8mOhm	5,000:¥1.7628 10,000:¥1.7628 20,000:¥1.7289	参考库存:33118
ZXMS6004FFTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V N-Channel self protected	1:¥6.5314 10:¥5.5935 100:¥4.3053 500:¥3.8081 1,000:¥2.9945 3,000:¥2.9945	参考库存:86869
2N3823	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET	1:¥230.1358 5:¥219.8415 10:¥212.9259 25:¥195.6369	参考库存:2576
DTA114EUAT106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 50MA SOT-323	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:7256