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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN3303R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	56
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	240 mg

商品其它信息

优势价格，FJN3303RTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VN10LFTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 3A	1:¥3.842 10:¥3.1979 100:¥1.9549 1,000:¥1.5029 3,000:¥1.2882	参考库存:19098
2N6034G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP	1:¥5.6048 10:¥4.633 100:¥2.9945 1,000:¥2.3843	参考库存:14466
DD750S65K3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V	1:¥17,193.1082 5:¥16,918.247	参考库存:3919
IRLTS6342TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:36541
TK65G10N1,RQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK	1:¥21.4361 10:¥17.289 100:¥13.8312 500:¥12.0684 1,000:¥10.0683	参考库存:5039