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晶体管
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2SD2662T100

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5595
35.595
100
¥2.1696
216.96
1,000
¥1.6724
1672.4
2,000
¥1.4238
2847.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MPT-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
160 mV
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
330 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
680
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
2SD2662
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,2SD2662T100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Extremely High Voltage
4,000:¥1.5594
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4464
50,000:¥1.4238
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5,000:¥10.8367
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1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:30772
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329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:30775
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,147.9896
参考库存:30778
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