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晶体管
BSZ019N03LSATMA1参考图片

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BSZ019N03LSATMA1

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库存:18,520(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
5,000
¥4.5991
22995.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
BSZ019N03LS BSZ19N3LSXT SP000792362
商品其它信息
优势价格,BSZ019N03LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.8366
10:¥7.571
100:¥5.8082
500:¥5.1415
1,000:¥4.0567
5,000:¥4.0567
参考库存:8228
晶体管
MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.1473
500:¥7.1303
1,000:¥5.9099
3,000:¥5.5031
参考库存:3294
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 450A
1:¥1,805.1976
5:¥1,761.783
10:¥1,718.0633
25:¥1,693.9378
参考库存:3282
晶体管
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
1:¥3.2996
10:¥2.7572
100:¥1.6837
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.10627
参考库存:15254
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.7825
10:¥51.0986
50:¥46.5673
100:¥42.036
250:¥38.5782
参考库存:3281
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