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BSZ019N03LSATMA1

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
5,000
¥4.5991
22995.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
BSZ019N03LS BSZ19N3LSXT SP000792362
商品其它信息
优势价格，BSZ019N03LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7216DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
3,000:¥7.0173
参考库存:15158
IRFSL3607PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:8754
SI7615ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:24265
IRFR8314TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
2,000:¥4.1358
10,000:查看
参考库存:7930
IRF7907TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
4,000:¥3.2883
参考库存:18121
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