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晶体管

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FZ400R12KS4

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 模块 IGBT-Module/ IGBT-inverter
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库存:4,438(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥922.6224
922.6224
5
¥904.4859
4522.4295
10
¥862.303
8623.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
510 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KS4HOSA1 SP000100708
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FZ400R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:3648
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 32Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:4461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:16717
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,000:¥1.1413
参考库存:3655
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
参考库存:3985
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