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晶体管
IAUC120N04S6L008ATMA1参考图片

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IAUC120N04S6L008ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET OptiMOS - power MOSFET for automotive applications
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库存:8,658(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.2153
6107.65
5,000
¥9.0626
45313
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IAUC120N04S6L008 SP001633598
商品其它信息
优势价格,IAUC120N04S6L008ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.6329
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.68365
参考库存:7164
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:9181
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:10800
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
500:¥23.278
参考库存:3852
晶体管
MOSFET 7A,20V Dual N Chann Mosfet,
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:4838
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