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晶体管
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IPL65R195C7

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数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9104
1591.04
250
¥15.0629
3765.725
3,000
¥10.8367
32510.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
173 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
8 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPL65R195C7AUMA1 SP001032726
商品其它信息
优势价格，IPL65R195C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7374DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
3,000:¥14.5205
参考库存:30600
IF1320-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1:¥29.9676
10:¥24.1255
100:¥19.7524
500:¥17.7523
1,000:¥14.9838
参考库存:30603
SIHF16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1,000:¥24.8939
3,000:¥23.6622
参考库存:30606
IPD100N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
2,500:¥7.91
5,000:¥7.684
10,000:¥7.3789
参考库存:30609
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:30612
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