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晶体管
ZTX658参考图片

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ZTX658

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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库存:8,241(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6613
56.613
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.842
1921
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX658
直流电流增益 hFE 最大值
50 at 1 mA, 5 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 1 mA, 5 V, 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 200 mA, 10 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX658的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.2996
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:20606
晶体管
IGBT 模块 EconoPACK4 200A 1200V
1:¥1,647.8338
5:¥1,608.2612
参考库存:4614
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥23.4362
10:¥19.436
100:¥15.0629
500:¥13.221
3,000:¥13.221
参考库存:7428
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
5,000:¥5.65
10,000:查看
参考库存:14612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:103205
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