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晶体管
IKP06N60T参考图片

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IKP06N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
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库存:4,506(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.605
960.5
500
¥8.4524
4226.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP06N60TXKSA1 IKP6N6TXK SP000683056
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IKP06N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
参考库存:5038
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥20.5208
10:¥18.2834
100:¥16.6788
250:¥15.0629
参考库存:3880
晶体管
JFET 50mA, -40V P-Channel
1:¥17.3681
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:4089
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:8610
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:4435
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