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晶体管
BFP 540ESD H6327参考图片

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BFP 540ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:6,366(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
170
工作频率
30 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
30 GHz
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540ESDH6327XTSA1 BFP54ESDH6327XT SP000745298
商品其它信息
优势价格,BFP 540ESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
5,000:¥5.0059
10,000:查看
参考库存:8693
晶体管
MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
1:¥9.2208
10:¥7.91
100:¥6.0342
500:¥5.3336
1,000:¥4.2149
3,000:¥4.2149
参考库存:5629
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.5255
参考库存:30878
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
2,500:¥5.5596
参考库存:5732
晶体管
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
1:¥9.379
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.0624
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:9697
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