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晶体管
IRFSL7730PBF参考图片

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IRFSL7730PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
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数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥16.5997
1659.97
250
¥15.7522
3938.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
246 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
271 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
249 S
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
180 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SP001557668
单位重量
2.084 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GB75YF120UT
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