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晶体管
IPD60R145CFD7ATMA1参考图片

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IPD60R145CFD7ATMA1

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库存:1,252(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
500
¥14.4414
7220.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
7.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPD60R145CFD7 SP001715664
商品其它信息
优势价格,IPD60R145CFD7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥318.4227
2:¥309.7443
5:¥301.2128
10:¥292.6022
参考库存:45956
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥247.7299
5:¥236.5881
10:¥229.2092
25:¥210.6207
参考库存:45959
晶体管
达林顿晶体管 NPN 30V DR BIPOLR SOT223 SNGL
1:¥3.6838
10:¥2.5651
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
2,500:¥0.77631
参考库存:45962
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:45965
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:45968
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