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晶体管
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FGA50T65SHD

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数量单价合计
1
¥38.1149
38.1149
10
¥32.3519
323.519
100
¥28.0466
2804.66
250
¥26.668
6667
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
319 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA50T65SHD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
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100:¥1.03734
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3,000:¥0.53788
9,000:查看
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晶体管
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1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:7935
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双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
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晶体管
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1:¥4.3844
10:¥3.7855
100:¥2.6216
1,000:¥1.9549
参考库存:3437
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