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晶体管
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FGA50T65SHD

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库存:4,133(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.1149
38.1149
10
¥32.3519
323.519
100
¥28.0466
2804.66
250
¥26.668
6667
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
319 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA50T65SHD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:7895
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3
1:¥3.7629
10:¥3.164
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2769
参考库存:7837
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
1:¥27.5042
10:¥22.1254
100:¥18.1365
500:¥16.2946
参考库存:5498
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:18943
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
参考库存:2577
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