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晶体管
APT75GN120JDQ3参考图片

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APT75GN120JDQ3

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥249.6509
249.6509
5
¥238.43
1192.15
10
¥230.9833
2309.833
25
¥212.2366
5305.915
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-227-4
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
124 A
Pd-功率耗散
379 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
124 A
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
124 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT75GN120JDQ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7463DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:9426
MMBT3904LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GENERAL PURPOSE
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:568199
NGTB40N120SWG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 40A 1200V Welding
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:1842
2SC4505T100Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400V 100MA
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.277
1,000:¥2.6216
2,000:¥2.2148
参考库存:1981
BCV 62A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:10636
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