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晶体管
2SC5706-E参考图片

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2SC5706-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
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库存:24,542(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.6782
46.782
100
¥3.0171
301.71
1,000
¥2.4182
2418.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.16 V
最大直流电集电极电流
7.5 A
增益带宽产品fT
400 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5706
直流电流增益 hFE 最大值
560
封装
Bulk
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,2SC5706-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3849
晶体管
MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.859
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.2487
参考库存:12436
晶体管
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
2,500:¥2.6442
10,000:查看
参考库存:8693
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 100A
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.6106
500:¥7.4806
参考库存:7090
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:19564
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