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晶体管
TK8A60W5,S5VX参考图片

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TK8A60W5,S5VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:3,430(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6162
3808.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK8A60W5
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK8A60W5,S5VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:31011
晶体管
JFET N-Ch 25Vds JFET 25Vgs 10mA 310mW
1:¥10.0683
10:¥8.2264
100:¥6.8591
500:¥5.2997
参考库存:7138
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:31016
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥5.0059
10,000:¥4.8138
参考库存:31019
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:31022
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