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晶体管
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STL45N10F7AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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库存：6,076(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STL45N10F7AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，STL45N10F7AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZDT6753TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 100V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:5955
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3901
100:¥3.4804
1,000:¥2.7911
参考库存:3383
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9154
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
9,000:¥0.71416
参考库存:8478
BSM200GB60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 200A DUAL
1:¥739.4268
5:¥725.8329
10:¥693.1759
25:¥670.1239
参考库存:3162
PZT3906
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.13
1,000:¥0.85315
4,000:¥0.72998
参考库存:14762
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