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晶体管
AUIRFB8407参考图片

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AUIRFB8407

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
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库存：2,243(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.5153
23.5153
10
¥19.9784
199.784
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.4415
4110.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
195 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
CoolIRFet
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
160 S
下降时间
53 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
78 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001517430
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，AUIRFB8407的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3109
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1,500:¥3.9211
2,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:32244
ULN2004ADE4
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi V & A Darlington
1,280:¥2.4747
2,000:¥2.2487
5,000:¥2.0905
10,000:¥2.0114
参考库存:32247
DMA561080R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.65314
24,000:¥0.60681
45,000:¥0.53788
参考库存:32250
SP000913772
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥55.0197
480:¥52.5563
720:¥47.8668
1,200:¥41.7196
参考库存:32253
STF6N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
参考库存:4503
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