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晶体管
RGPZ10BM40FHTL参考图片

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RGPZ10BM40FHTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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10
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113.678
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¥9.1417
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500
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3994.55
1,000
¥6.5992
6599.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
460 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGP
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
15 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGPZ10BM40FH
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25:¥810.1987
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CMUT5551 BK
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晶体管
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10,000:¥0.78422
30,000:¥0.72207
50,000:¥0.69156
100,000:¥0.66896
参考库存:29705
BC817-16
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.17628
参考库存:29708
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