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晶体管
RGPZ10BM40FHTL参考图片

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RGPZ10BM40FHTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.3678
113.678
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
1,000
¥6.5992
6599.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
460 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGP
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
15 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGPZ10BM40FH
商品其它信息
优势价格,RGPZ10BM40FHTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:6008
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:8289
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/50V/100mA
1:¥1.921
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
参考库存:15121
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington Trans 1A 180Vcbo 160Vceo
1:¥6.6105
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
参考库存:5526
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:10942
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