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晶体管
STP13NM60ND参考图片

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STP13NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
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库存:3,067(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
24.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
109 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STP13NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.6 ns
典型接通延迟时间
46.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP13NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥17.2099
10:¥14.2945
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
2,500:¥8.0682
参考库存:5030
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥4.3053
10:¥2.4747
100:¥1.4464
500:¥1.1639
3,000:¥0.791
6,000:查看
参考库存:1591
晶体管
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.9097
参考库存:5054
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 75A
1:¥63.619
10:¥57.4718
25:¥54.7824
100:¥47.5617
参考库存:1584
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
参考库存:3862
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