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晶体管
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STP30NF10

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
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11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.684
768.4
500
¥6.8365
3418.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP30NF10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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