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晶体管
DDTD122LC-7-F参考图片

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DDTD122LC-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 500mW
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库存:6,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
220 Ohms
典型电阻器比率
0.022
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极连续电流
0.5 A
峰值直流集电极电流
500 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTD122
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
600
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
类型
NPN Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DDTD122LC-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:11594
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
2,000:¥18.2156
4,000:查看
参考库存:5524
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:3917
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:3653
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -49 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
2,500:¥5.65
参考库存:5487
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