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晶体管
TK32A12N1,S4X参考图片

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TK32A12N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V
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库存:3,135(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.667
666.7
500
¥5.8873
2943.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK32A12N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK32A12N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:2788
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
1,000:¥11.0627
参考库存:1508
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DL SPCL
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:4577
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.30736
参考库存:16019
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥5.1528
10:¥4.3053
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:2621
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