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晶体管
PSMN8R5-100PSQ参考图片

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PSMN8R5-100PSQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET PSMN8R5-100PS/SIL3P/STANDARD M
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数量单价合计
5,000
¥6.0003
30001.5
10,000
¥5.763
57630
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
22.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
111 nC
Pd-功率耗散
263 W
封装
Tube
商标
Nexperia
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，PSMN8R5-100PSQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM1505S8-T
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2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
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10,000:查看
参考库存:40728
JANTX2N3500/TR
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.5706
250:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:40731
JAN2N6678
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,146.5319
参考库存:40734
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