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晶体管
FZ400R12KE4参考图片

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FZ400R12KE4

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库存:2,609(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥799.5993
799.5993
5
¥784.9206
3924.603
10
¥749.5742
7495.742
25
¥724.6803
18117.0075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KE4HOSA1 SP000524456
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FZ400R12KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 4.7K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:28999
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 2400A
1:¥7,081.9586
5:¥6,968.6987
参考库存:29002
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:70152
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 43 mOhm MOSFET
1,500:¥1.3108
参考库存:29007
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,587.5144
30:¥1,530.3477
参考库存:29010
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