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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.45 V
在25 C的连续集电极电流	220 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	536 W
封装 / 箱体	TO-264-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
单位重量	10 g

商品其它信息

优势价格，APT150GN60LDQ4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TK39N60W5,S1VF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET N-Channel	1:¥71.6872 10:¥64.5456 25:¥58.7826 50:¥57.3249	参考库存:4175
2SCR542PT100	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit	1:¥4.8364 10:¥4.0115 100:¥2.5877 1,000:¥2.0679 2,000:¥1.7402	参考库存:5312
DMN3032LFDB-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS	1:¥3.842 10:¥2.9606 100:¥1.6046 1,000:¥1.2091 3,000:¥1.03734 9,000:¥0.97632	参考库存:7523
FDMS3606AS	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET	1:¥17.5941 10:¥14.9838 100:¥11.9893 500:¥10.4525 3,000:¥8.0682 6,000:查看	参考库存:3609
TBC847B,LM	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT NPN 0.15A 50V	1:¥1.3108 10:¥1.09158 100:¥0.3842 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:151198