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晶体管

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FF150R12KS4

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数量单价合计
1
¥821.5778
821.5778
5
¥806.5149
4032.5745
10
¥770.1628
7701.628
25
¥744.5005
18612.5125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12KS4HOSA1 SP000100706
商品其它信息
优势价格,FF150R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP 50V 30MA
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:7942
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100mA HFE/450
1:¥2.0001
10:¥1.3447
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:24770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/250
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:13039
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 160V
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥1.00683
10,000:¥0.9379
参考库存:10200
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:3357
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