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晶体管
IRFNL210BTA-FP001参考图片

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IRFNL210BTA-FP001

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库存:4,268(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.955
39.55
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.034
2034
2,000
¥2.034
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Ammo Pack
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
零件号别名
IRFNL210BTA_FP001
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,IRFNL210BTA-FP001的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
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参考库存:3478
晶体管
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1:¥245.3456
5:¥233.0512
10:¥226.904
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参考库存:2999
晶体管
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1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
2,500:¥5.2997
参考库存:30431
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:33586
晶体管
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1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥3.5821
1,000:¥2.8702
2,500:¥2.599
参考库存:5259
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