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晶体管
ZXMS6006DT8TA参考图片

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ZXMS6006DT8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
1,000
¥7.7631
7763.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms, 75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
2.13 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
IntelliFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMS600
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 us, 15 us
产品类型
MOSFET
上升时间
18 us, 18 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 us, 34 us
典型接通延迟时间
8.6 us, 8.6 us
商品其它信息
优势价格，ZXMS6006DT8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTD122JU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 4.7K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:28999
FZ2400R12HE4_B9
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 2400A
1:¥7,081.9586
5:¥6,968.6987
参考库存:29002
DDTC144VE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:70152
BUK7Y43-60EX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 43 mOhm MOSFET
1,500:¥1.3108
参考库存:29007
PH1090-75L
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,587.5144
30:¥1,530.3477
参考库存:29010
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