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晶体管
STGWT80H65FB参考图片

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STGWT80H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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库存:4,297(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥83.8347
83.8347
10
¥77.066
770.66
25
¥73.9246
1848.115
100
¥65.088
6508.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT80H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
参考库存:11624
晶体管
MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.1419
500:¥11.526
800:¥9.5259
参考库存:5670
晶体管
MOSFET N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:8626
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SupreMOS
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6444
5,000:查看
参考库存:7106
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:5423
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