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产品分类

晶体管

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DMP45H4D9HJ3

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFETBVDSS: 251V-500V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,DMP45H4D9HJ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
3,000:¥6.9495
6,000:查看
参考库存:5639
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥8.6106
10:¥7.6501
100:¥6.0455
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:10031
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥5.7743
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
参考库存:7517
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥44.7932
参考库存:3506
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
10:¥168.0536
参考库存:3215
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