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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	否
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.213
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1107
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1107MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N6297	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Power BJT	1:¥247.7299 5:¥236.5881 10:¥229.2092 25:¥210.6207	参考库存:45782
P3F60HP2-5600	Shindengen	晶体管	PDF数据手册	MOSFET High Switching Speed High Voltage	1:¥10.7576 10:¥9.7632 100:¥8.4524 500:¥7.5823	参考库存:45785
FS100R12KS4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE	1:¥1,711.5319 5:¥1,670.3434 10:¥1,628.8498 25:¥1,606.0351	参考库存:45788
2SCR552PT100	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 2Kbit EEPROM	1:¥4.6895 10:¥3.8307 100:¥2.3391 1,000:¥1.808 2,000:¥1.5368	参考库存:45791
IPB47N10SL-26	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS	1:¥14.8256 10:¥12.5995 100:¥10.0683 500:¥8.8366 1,000:¥7.2885	参考库存:45794