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晶体管
TPS1101DR参考图片

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TPS1101DR

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存:2,210(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.379
4689.5
2,500
¥7.1868
17967
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
791 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1101
晶体管类型
1 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1101DR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:69978
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:1800
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HIGH GAIN
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:1481
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:20411
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5312
100:¥1.1526
1,000:¥0.92208
8,000:¥0.69156
48,000:查看
参考库存:9309
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