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晶体管
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FQP4N80

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库存:3,137(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.2207
3610.35
1,000
¥5.7065
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP4N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.8 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
FQP4N80_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP4N80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
1:¥2,739.8884
5:¥2,574.7502
参考库存:2225
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥59.551
10:¥53.788
25:¥51.2568
100:¥44.4881
3,000:¥32.4988
参考库存:2228
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:2696
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:92095
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
3,000:¥2.8363
9,000:查看
参考库存:2900
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