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晶体管
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MRFX035HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX035H/CFM2F///REEL 13
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库存:3,520(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥379.2054
379.2054
5
¥370.753
1853.765
10
¥353.8482
3538.482
25
¥339.0226
8475.565
50
¥339.0226
16951.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
193 V
增益
24.8 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-360H-2SB
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 512 MHz
系列
MRFX035H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
154 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935376627178
商品其它信息
优势价格,MRFX035HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7686
500:¥4.2149
2,500:¥2.9493
10,000:查看
参考库存:14666
晶体管
MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:3519
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,000:¥2.0905
参考库存:2590
晶体管
MOSFET BUK9M156-100E/MLFPAK/REEL 7" Q
1:¥3.842
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
1,500:¥1.2656
参考库存:1619
晶体管
IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
1:¥27.4364
10:¥23.278
100:¥20.2044
250:¥19.1309
500:¥17.2099
参考库存:1830
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