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晶体管
SQD50P04-09L_GE3参考图片

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SQD50P04-09L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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库存:14,320(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥22.8938
228.938
100
¥18.4416
1844.16
500
¥14.0572
7028.6
2,000
¥10.6785
21357
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQD50P04-09L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:21959
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
3,000:¥1.5029
9,000:¥1.4012
24,000:¥1.3334
45,000:¥1.2995
参考库存:21962
晶体管
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10,000:¥1.3334
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晶体管
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1:¥9.4468
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
10,000:查看
参考库存:21968
晶体管
达林顿晶体管 NPN/ 110V/ 1.5A
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:5353
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