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晶体管
SSM3J134TU,LF参考图片

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SSM3J134TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2826
22.826
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.92999
929.99
3,000
¥0.79891
2396.73
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
93 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3J134TU
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH110N8F7-2
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参考库存:30800
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