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晶体管
FDP18N50参考图片

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FDP18N50

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库存:4,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP18N50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP18N50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.831
参考库存:5085
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 80V 4.5 MOHM
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2207
1,000:¥5.989
3,000:¥5.5709
参考库存:10082
晶体管
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:6987
晶体管
MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥8.3733
10:¥6.9043
100:¥5.2997
500:¥4.5539
3,000:¥3.3448
6,000:查看
参考库存:10968
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.8422
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:8302
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