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晶体管
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FDMS3660AS

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库存:1,910(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.379
93.79
100
¥7.2546
725.46
500
¥6.4071
3203.55
3,000
¥4.4861
13458.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V, 20 V
Qg-栅极电荷
21 nC, 64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W, 2.5 W
配置
Dual
商标名
Power Stage PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDMS3660AS
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
173 S, 240 S
下降时间
3 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns, 38 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 12 ns
单位重量
171 mg
商品其它信息
优势价格,FDMS3660AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.695
参考库存:4127
晶体管
MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:17329
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:17332
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥22.8938
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
1,500:¥11.526
4,500:查看
参考库存:17335
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
1:¥86.219
10:¥78.3768
25:¥72.4556
50:¥68.5458
参考库存:17338
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