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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220FP-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	19 A
Rds On-漏源导通电阻	180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	33 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	33 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
系列	E
晶体管类型	1 N-Channel E-Series Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	5.3 S
下降时间	23 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	49 ns
工厂包装数量	1
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	14 ns

商品其它信息

优势价格，SIHA180N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APTGT75A60T1G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	1:¥352.9216 5:¥342.2431 10:¥332.1748 25:¥311.428	参考库存:1581
PSMN102-200Y,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-Pin	1:¥9.831 10:¥8.4524 100:¥6.441 500:¥5.6952 1,000:¥4.4974 1,500:¥4.4974	参考库存:1566
TIP36AG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 125W PNP	1:¥19.21 10:¥16.3624 100:¥13.0628 500:¥11.4469	参考库存:1965
DMA202010R	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm	1:¥3.5369 10:¥2.3391 100:¥1.4577 500:¥1.3108 3,000:¥0.82264 9,000:查看	参考库存:4566
MTM761110LBF	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm	1:¥4.6895 10:¥3.4465 100:¥2.1696 500:¥1.7515 1,000:¥1.6724 3,000:¥1.4803	参考库存:4558